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(사진 = 삼성전자)

(서울=NSP통신) 이복현 기자 = 삼성전자가 20일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 열린 제55기 정기 주주총회에서 DX부문장 한종희 부회장과 DS부문장 경계현 사장이 각 사업부문별 경영전략에 대해서 주주들에게 설명했다.

삼성전자는 모든 디바이스에 AI를 본격적으로 적용해 고객에게 생성형 AI와 온디바이스 AI가 펼쳐갈 새로운 경험을 제공할 방침이다.

▲스마트폰, 폴더블, 액세서리, XR 등 갤럭시 전제품에 AI 적용을 확대하고 ▲차세대 스크린 경험을 위해 AI 기반 화질·음질 고도화, 한 차원 높은 개인화된 콘텐츠 추천 등을 전개해 나가며 ▲올인원 세탁·건조기 비스포크 AI 콤보를 통해 일반 가전제품을 지능형 홈가전으로 업그레이드할 계획이다.

삼성전자는 전사적 AI 역량을 고도화해 차세대 전장, 로봇, 디지털 헬스 등 신사업 육성을 적극 추진할 계획이다.

홈·모바일·오피스를 망라한 삼성의 다양한 디바이스는 많이 연결하고 자주 사용할수록 더욱 똑똑해지고 고객을 잘 이해해 더 큰 가치와 새로운 라이프스타일 경험을 제공한다.

예를 들어 ▲집안에서는 갤럭시폰이 리모콘이 되어 모든 기기를 편리하게 제어하고 ▲스마트 가전 및 IoT 솔루션을 통해 최적의 수면 환경을 제공하며 ▲기기 사용 패턴 및 알림을 통해 가족의 응급 상황도 손쉽게 확인할 수 있으며 ▲기기 안의 AI로 절약과 절전 모드를 최적화해 최대 20%까지 에너지 절약이 가능하다.

삼성전자는 초연결 AI시대를 맞아 가장 안전하고 가치있고 지능화된 디바이스 경험을 제공하기 위해 대표 보안 솔루션 녹스를 기반으로 개인 정보 보호와 보안을 최우선으로 추진할 방침이다.

스마트홈 생태계를 안전하게 보호해 주는 녹스 매트릭스는 다양한 삼성 기기를 프라이빗 블록체인 시스템으로 구성해 데이터를 안전하게 보호하고 외부 보안 공격을 사전에 차단할 수 있다.

녹스 볼트는 칩에 내장되는 보안 솔루션으로 홍채나 지문 인식, 암호와 같은 디바이스 안의 중요 데이터를 격리 저장하여 물리적인 침입에도 안전하다.

올해 글로벌 반도체 시장은 전년 대비 크게 성장한 6300억불을 기록할 것으로 예상되며 DS부문의 매출도 2022년 수준으로 회복할 것으로 전망된다.

메모리는 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램를 활용한 128GB(기가바이트) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM3·HBM3E 시장의 주도권을 찾을 계획이다.

또 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다.

파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다.

또 오토모티브, RF(Radio Frequency) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 4‧5‧8‧14나노 공정의 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대할 방침이다.

시스템LSI사업부의 SoC(System on Chip)사업은 플래그십 SoC의 경쟁력을 더욱 높이고 오토모티브 신사업 확대 등 사업구조를 고도화 할 계획이다.

이미지센서는 일관 개발‧생산 체계를 구축하고 픽셀 경쟁력을 강화한 차별화 제품으로 다양한 시장 진출을 추진할 계획이다.

LSI는 DDI(Display Driver IC), PMIC(Power Management IC) 사업 구조를 개선하고 SCM 효율을 높여 원가 경쟁력을 개선할 방침이다.

또 삼성전자는 미래를 위한 다양한 신사업을 준비할 계획이다.

2023년 시작한 어드밴스드 패키지(Advanced Package) 사업은 올해 2.5D 제품으로 1억불 이상 매출을 올릴 것으로 예상되며 2.xD, 3.xD, Panel Level 등 업계가 필요로 하는 기술을 고객과 함께 개발해 업을 성장시킬 계획이다.

또 SiC(실리콘카바이드)‧GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력 반도체와 AR 글래스를 위한 마이크로 LED 기술 등을 적극 개발하여 2027년부터 시장에 적극 참여할 방침이다.

삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 FinFET, GAA 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖추어 왔으며, 앞으로도 새로운 기술을 선행해서 도전적으로 개발할 계획이다.

이를 위해 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입하는 등 연구개발에 과감한 투자를 아끼지 않을 방침이다.

반도체연구소를 양적·질적 측면에서 두배로 키울 계획이며, 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 계획이다.

R&D 투자를 통해 얻어진 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자 및 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자하여 성장기반을 강화하는 선순환구조를 구축해 나갈 방침이다.

2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한지 50년이 되는 해로, 본격 회복을 알리는 재도약과 DS의 미래 반세기를 개막하는 성장의 한해가 될 것이며, 2∼3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾을 계획이다.

NSP통신 이복현 기자(bhlee2016@nspna.com)

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