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(사진 = 삼성전자)

(서울=NSP통신) 이복현 기자 = 삼성전자(005930)가 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 HBM4 시장 선점에 나섰다.

삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고 1c D램과 4나노 베이스 다이를 적용해 초기부터 수율과 성능을 확보했다.

삼성전자는 JEDEC 표준 8Gbps를 약 46% 웃도는 11.7Gbps 동작 속도를 안정적으로 확보했으며 최대 13Gbps까지 구현 가능하다고 밝혔다.

삼성전자는 단일 스택 기준 메모리 대역폭이 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 늘어난 최대 3.3TB/s 수준으로 고객 요구 3.0TB/s를 상회한다.

삼성전자는 12단 적층으로 24GB~36GB를 제공하고 고객 일정에 맞춰 16단 적층 적용 시 최대 48GB까지 확장할 계획이다.

삼성전자는 I/O 핀 수 확대에 따른 전력·발열 이슈 대응을 위해 코어 다이 저전력 설계와 PDN 최적화를 적용해 에너지 효율을 전 세대 대비 약 40% 개선했다고 밝혔다. 더불어 열 저항 특성 약 10% 개선, 방열 특성 약 30% 향상도 함께 제시하며 데이터센터 전력 소모와 냉각 비용 절감 효과를 강조했다.

삼성전자는 2026년 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있다.

삼성전자는 2026년 하반기 HBM4E 샘플 출하, 2027년 고객 맞춤형 Custom HBM 샘플링을 추진해 차세대 라인업을 가동할 계획이다.

NSP통신 이복현 기자(bhlee2016@nspna.com)

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