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(서울=NSP통신 박유니 기자) = 저항변화 메모리(Resistance Random Access Memory, Re램)의 최대 난제로 꼽히는 ‘불분명한 스위칭 메커니즘’을 측정할 수 있는 기술이 한양대-아주대 공동 연구진에 의해 개발됐다.

전형탁 한양대 신소재공학부 교수와 서형탁 아주대학교 신소재공학과 교수가 주도하고 전희영 한양대 박사과정 연구원 및 전기준 인하대 교수가 참여한 공동연구팀은, ‘단일층(單一層) 그래핀 전극(電極) 기반 비휘발성 메모리 소자의 저항 가변 메커니즘 측정 기술’을 개발했다고 23일 밝혔다.

연구팀이 개발한 이 기술은 낸드 플래시(NAND Flash) 메모리를 대체하기 위한 차세대 비휘발성 메모리 유력한 후보인 Re램의 스위칭 메커니즘을 최초로 측정한 것. Re램은 동작 원리에 대한 정확한 메커니즘 규명이 어려워 그 상용화의 최대 걸림돌로 작용해 왔고, 여러 가지 다양한 메커니즘이 추측 및 제안됐지만 실제로 측정해 명확히 규명한 적은 없었다.

연구팀은 이번 측정기술 개발에 사용한 ‘단일층 그래핀 전극’이 그래핀이 탄소 원자 단일층 도체이면서도 안정적이라는 특성을 이용해 다른 물질과 접합(接合)시 화학적으로 혼합돼도 경계면(境界面)이 발생하지 않는다는 점에 착안해 난제를 푸는 해법을 제시했다.

전형탁 교수는 “이번에 개발된 단일층 그래핀 전극 기반 비휘발성 메모리 소자의 저항 가변 메커니즘 측정 기술이 메모리 반도체 산업뿐만 아니라 신경회로망 소자 구현에도 큰 파급 효과를 줄 것으로 기대 된다”고 말했다.

ynpark@nspna.com, 박유니 기자(NSP통신)
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