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삼성전자, 30나노 저전력 1.25V 서버D램 개발

NSP통신, 김정태 기자, 2011-09-15 11:04 KRD7
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[서울=DIP통신] 김정태 기자 = 삼성전자가 30나노급 4Gb DDR3 D램을 기반으로 엔터프라이즈 서버향 ‘1.25V 16GB DDR3 RDIMM’ 제품을 개발했다.

이번에 출시된 4Gb DDR3 기반 1.25V 16GB DDR3 RDIMM 제품은 1333Mbps 동작 속도의 고성능 서버에서 시간당 소비전력이 3.7W에 불과하다.

특히 이 제품은 현재까지 가장 낮은 소비전력을 가진 30나노급 4Gb DDR3 기반의 1.35V 16GB RDIMM 제품보다도 약 15% 정도 소비전력을 절감했다.

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또, 40나노 2Gb DDR3 기반의 1.35V 16GB RDIMM 제품과 비교했을 때는 약 60%의 소비전력 절감 효과를 가진다.

삼성전자는 내년까지 4Gb D램을 기반으로 최대 용량인 32GB RDIMM 제품 등 전 제품군을 출시해 엔터프라이즈 서버 시장을 비롯한 프리미엄 메모리 시장에서 제품 경쟁력 우위를 강화해 나갈 계획이다.

한편, 삼성전자는 16일 싱가포르에서 개최하는 ‘삼성 반도체 CIO(최고정보관리책임자·Chief Information Officer)포럼’에서 그린 메모리 전략을 발표하며 기존 서버 대비 소비전력을 더욱 낮춘 30나노급 1.25V 서버용D램 제품을 선보일 예정이다.

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