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[서울=DIP통신] 김정태 기자 = 하이닉스반도체(대표 권오철)는 국제 반도체 표준협의 기구(JEDEC) 규격을 적용한 30나노급 2기가비트(Gb) 차세대 DDR4 D램을 개발했다.

DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도를 2배 가량 높인 차세대 D램 규격.

이번에 개발된 DDR4 D램은 1.2V 저전압에서 2400Mbps의 초고속 데이터 전송속도를 구현해 기존 DDR3 1333Mbps 제품대비 처리속도가 80% 가량 향상됐다.

2400Mbps의 데이터 전송속도는 64개의 정보 입출구(I/O)를 가진 ECC-SODIMM 제품을 통해 DVD급 영화 4~5편에 해당되는 19.2기가바이트의 데이터를 1초에 처리할 수 있다.

또한, D램의 동작온도 및 명령신호 전송상태에 따라 능동적으로 소비전류를 감소시키는 신규 회로 기술을 적용해 1.5V DDR3 대비 50% 가량 전력소모가 줄어들었다.

한편, 하이닉스는 DDR4 D램을 사용해 초소형 서버 등에 사용되는 2기가바이트(GB) ECC-SODIMM(Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module)도 개발을 완료했다.

하이닉스는 DDR4 D램을 2012년 하반기부터 양산해 DDR4 D램 시장을 선도한다는 계획이다.

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