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(DIP통신) 김정태 기자 = 하이닉스반도체가 44나노 공정 기술을 적용한 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 올 3분기에 양산한다.

이번에 개발된 DDR3 D램은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된 제품.

특히 DDR3 D램은 3차원 트랜지스터 기술로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화했을 뿐만 아니라 2133Mbps의 처리 속도를 자랑한다.

다양한 전압도 지원하는 DDR3 D램은 2010년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 대규모로 양산할 계획이다.

또한 하이닉스는 DDR3 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽 D램에 확대 적용할 계획이다.

한편, 40나노급 공정은 대부분의 D램 업체들이 2010년 이후 개발을 목표로 하고 있는 차세대 D램 제조 공정 기술로 2009년 하반기 이후 시장의 주력 제품이 될 것으로 예상되는 DDR3에 주로 적용될 것으로 전망된다.

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