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(DIP통신) 이승호 기자 = 하이닉스반도체(대표 김종갑)는 54나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 제품을 세계 최초로 개발했다고 3일 밝혔다.

회사에 따르면 이번에 개발된 제품은 세계 최초로 54나노 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량 제품으로 멀티 칩 패키지(MCP; Multi Chip Package)와 패키지 온 패키지(PoP; Package on Package) 제품에 들어가는 모바일 D램 제품 중 현재 시중의 최대 용량인 1기가비트 제품에 비해 2배의 용량을 구현할 수 있다는 설명이다.

또한 전력 소비도 기존의 메모리 제품 대비 1/8에 불과해 장시간 사용하는 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 네비게이션 등의 제품에 적합하다는 평이다.

국제반도체표준협의 기구(JEDEC) 규격을 만족하는 이 제품은 내년 상반기부터 양산될 예정이다.

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