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이강욱 SK하이닉스 PKG개발담당 부사장 (사진=SK하이닉스 뉴스룸)

(서울=NSP통신) 최정화 기자 = SK하이닉스가 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용한 HBM4 12단 제품을 내년 출시하고 이듬해 16단 제품 양산에 돌입할 계획이다.

3일 SK하이닉스에 따르면 이강욱 패키징개발 담당 부사장은 이날 대만 타이베이에서 열린 세미콘 타이완에서 ‘AI 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술’을 주제로 한 세션 발표에서 이같은 내용을 시사했다.

이 부사장은 “SK하이닉스는 HBM3와 3E 8단 제품에 MR-MUF, 12단 제품에 Advanced MR-MUF기술을 적용해 양산을 하고 있다"며 “내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품에도 Advanced MR-MUF를 적용해 양산할 계획이다"라고 밝혔다.

내년 출시하는 HBM4 12단 제품에는 독자적으로 개발한 패키징 기술이 적용될 예정이다. HBM 제품의 에너지 효율 및 열 방출(방열 성능) 측면에서 제품 경쟁력을 갖출 것으로 보고 있다.

2026년 출시 예정인16단 제품은 Advanced MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두에 대한 준비를 하고 있으며 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 선택할 예정이다.

SK하이닉스가 HBM 제품에 적용한 MR-MUF 패키징 기술은 낮은 본딩(칩 접합) 압력/온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 타 공정 대비 유리하다.

또 높은 열전도 특성을 갖는 Gap-Fill 물질(빈 공간을 채우는 물질) 및 높은 밀도의 메탈 범프(HBM D램을 수직으로 적층할 때 회로 연결 역할을 하는 초소형 돌기 형태의 소재) 형성이 가능해 타 공정 대비 열 방출 면에서 30% 이상의 성능 장점을 가진다.

이 부사장은 또 “16단 제품 대응을 위한 기술을 개발 중"이라며 “최근 연구에서 16단 제품에 대한 Advanced MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인했다"고 말했다.

다만 하이브리드 본딩 기술을 적용할 경우 제품 성능, 용량 증가 및 열 방출 측면에서 장점이 있으나 기술 완성도 및 양산 인프라 준비 측면에서 해결해야 할 여러 선결 과제도 짚었다.

SK하이닉스는 두 가지 방식에 대한 기술 완성도를 빠르게 높여 메모리 고용량화에 대한 고객 니즈에 선제적으로 대응할 방침이다.

이 부사장은 “HBM4 및 이후 세대 제품 개발을 준비하고 있으며 대역폭, 용량, 에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위해 2.5D 및 3D SiP(System in Package) 패키징 등을 포함 다양한 대응 방안을 검토하고 있다"며 “또 HBM4E 부터는 커스텀 성격이 강해질 것으로 예상돼 다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축 관점에서도 글로벌 파트너들과의 협력을 강화하고 있다"고 강조했다.

NSP통신 최정화 기자(choijh@nspna.com)

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