Warning: filemtime(): stat failed for /var/lib/php/session/sess_17euvgv99b3q3v6ntt986sp1sj in
/home/nspna_com/m/_plugin/get_user_count.php on line
25
Warning: filemtime(): stat failed for /var/lib/php/session/sess_4ksk038i9lnp8att2llo6ilfr4 in
/home/nspna_com/m/_plugin/get_user_count.php on line
25
Warning: filemtime(): stat failed for /var/lib/php/session/sess_4lvck2rter4r7uk787og67o9bb in
/home/nspna_com/m/_plugin/get_user_count.php on line
25
Warning: filemtime(): stat failed for /var/lib/php/session/sess_81uo7219tmorqijart19b97qgi in
/home/nspna_com/m/_plugin/get_user_count.php on line
25
Warning: filemtime(): stat failed for /var/lib/php/session/sess_d6b6ht482ibitvbil17epr82ql in
/home/nspna_com/m/_plugin/get_user_count.php on line
25
Warning: filemtime(): stat failed for /var/lib/php/session/sess_dhcbd6l08cgrtr9tab29kjdio8 in
/home/nspna_com/m/_plugin/get_user_count.php on line
25
Warning: filemtime(): stat failed for /var/lib/php/session/sess_gqm216o01ilqlptpaf0r3lg6ss in
/home/nspna_com/m/_plugin/get_user_count.php on line
25
Warning: filemtime(): stat failed for /var/lib/php/session/sess_jktrrginq89nfrsrmie7h6q3j3 in
/home/nspna_com/m/_plugin/get_user_count.php on line
25
Warning: filemtime(): stat failed for /var/lib/php/session/sess_m6utlqs1ut6gtreo7rvgda2cgu in
/home/nspna_com/m/_plugin/get_user_count.php on line
25
Warning: filemtime(): stat failed for /var/lib/php/session/sess_mrhejnhfb5gedvf700cujup49v in
/home/nspna_com/m/_plugin/get_user_count.php on line
25
Warning: filemtime(): stat failed for /var/lib/php/session/sess_s2vp1igeu6ft9vvjo8ua8357bd in
/home/nspna_com/m/_plugin/get_user_count.php on line
25
Samsung Electronics удалось разработать LPDDR5X, поддерживающий рабочую скорость 10,7 Гбит/с.
NSP NEWS AGENCY, By So-eun Joo and Bok-hyun Lee, 2024-04-17 16:19 RUX7 R0
#삼성전자(005930) #LPDDR5X #저전력D램

fullscreen
(Фото = Samsung Electronics)
(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = Компания Samsung Electronics преуспела в разработке LPDDR5X DRAM с рабочей скоростью 10,7 Гбит/с и подтвердила свое технологическое лидерство на рынке маломощных и высокопроизводительных DRAM.
Этот продукт представляет собой высокопроизводительную память с низким энергопотреблением, реализованную на самом маленьком чипе среди LPDDR DRAM 12-нм класса и оптимизированную для эпохи искусственного интеллекта на устройствах. Ожидается, что в будущем он выйдет за пределы мобильной области и будет применяться к различным приложениям, таким как ▲AI ПК ▲AI-ускоритель ▲сервер ▲электронные детали.
По сравнению с продуктом предыдущего поколения производительность улучшилась более чем на 25%, а емкость увеличилась более чем на 30%, и он поддерживает до 32 гигабайт (ГБ) в одном мобильном пакете DRAM.
Компания Samsung Electronics применила в этом продукте технологию оптимизации переменной мощности и технологию расширения рабочего диапазона при малом энергопотреблении, улучшив энергопотребление примерно на 25% по сравнению с продуктом предыдущего поколения.
Это обеспечивает более длительное время автономной работы мобильных устройств и снижает энергопотребление, необходимое для обработки данных на серверах, тем самым снижая совокупную стоимость владения (TCO).
Samsung Electronics планирует начать массовое производство новой оперативной памяти LPDDR5X во второй половине года после проверки продукта в сотрудничестве с процессорами приложений и мобильными компаниями.
By So-eun Joo(soeun7730@nspna.com) and Bok-hyun Lee(bhlee2016@nspna.com)
ⓒNSP News Agency·NSP TV. All rights reserved. Prohibits using to train AI models.