Warning: unlink(/home/nspna_com/www/__cache/2026/02/16/1f2b5b7f51e643ac3dcff950deffd6ad): No such file or directory in /home/nspna_com/www/__lib/class.URLCache.php on line 127

Warning: unlink(/home/nspna_com/www/__cache/2026/02/16/3663501595a3bd5b765996704dba00dc): No such file or directory in /home/nspna_com/www/__lib/class.URLCache.php on line 127

Warning: unlink(/home/nspna_com/www/__cache/2026/02/16/3998039e19549a1fbcc4632be5fb4e32): No such file or directory in /home/nspna_com/www/__lib/class.URLCache.php on line 127
Samsung Electronics начала массовые поставки HBM4 — высочайшая производительность в отрасли
Skip to main content Go body Go Menu
G03-8236672469

Samsung Electronics начала массовые поставки HBM4 — высочайшая производительность в отрасли

NSP NEWS AGENCY, By Youngsuk Kim and Bok-hyun Lee, 2026-02-13 09:05 RUX7 R1
#SamsungElecs(005930) #HBM4 #MassProduction #TopPerformance #BeyondJEDEC

Применение 1c DRAM и 4-нм базового кристалла: повышение энергоэффективности на 40%, ожидается поставка образцов HBM4E в 2026 году

NSP통신-(Фото: Samsung Electronics)
(Фото: Samsung Electronics)

(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = Samsung Electronics (005930) первой в мире начала массовые поставки HBM4 с отраслевой лидирующей производительностью, стремясь занять ключевые позиции на рынке HBM4.

Компания подчеркнула, что ещё на этапе разработки HBM4 были поставлены цели превзойти стандарты JEDEC. Для этого применены 1c DRAM и базовый кристалл, выполненный по 4-нм техпроцессу, что позволило с самого начала обеспечить высокий уровень выхода годных и стабильные показатели производительности.

Samsung Electronics также сообщила, что ей удалось стабильно достичь скорости работы 11,7 Гбит/с, что примерно на 46% выше стандарта JEDEC (8 Гбит/с). При этом компания отметила, что технология потенциально позволяет реализовать скорость до 13 Гбит/с.

G03-8236672469

Samsung Electronics сообщила, что пропускная способность памяти в одном стеке HBM4 достигает 3,3 ТБ/с — это примерно в 2,7 раза больше по сравнению с предыдущим поколением HBM3E и превышает требования клиентов на уровне 3,0 ТБ/с.

Компания предлагает 12-слойную компоновку, обеспечивающую объём от 24 до 36 ГБ, и планирует расширить ёмкость до 48 ГБ при применении 16-слойной компоновки в соответствии с графиком заказчиков.

Для решения проблем энергопотребления и тепловыделения, связанных с увеличением числа выводов I/O, Samsung применила низкоэнергетическую архитектуру ядра и оптимизацию PDN, что позволило повысить энергоэффективность примерно на 40% по сравнению с предыдущим поколением. Дополнительно компания отметила улучшение теплового сопротивления примерно на 10% и повышение характеристик теплоотвода на 30%, подчеркнув значительное снижение энергопотребления дата-центров и затрат на охлаждение.

Samsung прогнозирует, что выручка от HBM в 2026 году увеличится более чем втрое по сравнению с 2025 годом, и уже расширяет производственные мощности.

Кроме того, компания планирует начать поставки образцов HBM4E во второй половине 2026 года, а в 2027 году — приступить к тестированию индивидуальных решений Custom HBM для запуска следующего поколения линейки.

ⓒNSP News Agency·NSP TV. All rights reserved.