Korea Business News Agency - NSP NEWS AGENCY.

(사진 = SK Hynix)

(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = SK Hynix разработала новый продукт HBM3, в котором впервые в мире было вертикально собрано 12 отдельных DRAM-чипов для достижения рекордной емкости в 24 ГБ (гигабайт). Ранее максимальная емкость HBM3 составляла 16 ГБ с 8 вертикально собранными DRAM-чипами.
SK Hynix отметила, что на этот раз компании удалось разработать новый пакет-продукт в 24 ГБ, с увеличением емкости на 50% по сравнению с предыдущим продуктом. Компания подчеркнула, что она планирует поставлять новый продукт на рынок, где сейчас отмечен растущий спрос на премиальную память в результате расширения индустрии AI-чат-ботов (Chatbot - робот на базе технологии ИИ, имитирующий разговор с пользователем).
Компания также сообщила, что применены передовые технологии MR-MUF и TSV в разработке нового продукта.
Благодаря технологии MR-MUF улучшена эффективность процесса и обеспечена стабильность производительности продукта. Используя технологию TSV, компания смогла вертикально собрать 12 DRAM-чипов, которые стали на 40% тоньше, чем в предыдущих версиях, и достичь высоты, сравнимой с 16 ГБ продуктом.
HBM, разработанная SK Hynix в 2013 году, стала важным полупроводниковым продуктом памяти для создания ИИ, требующего высокой производительности. В настоящее время компания предоставляет образцы HBM3 объемом 24 ГБ многим глобальным клиентам для прохождения проверки производительности, и сообщается, что клиенты также проявляют интерес к этой новой разработке.

By Ayoung Jung(dkdud309@nspna.com) and Bok-hyun Lee(bhlee2016@nspna.com)

ⓒNSP News Agency·NSP TV. All rights reserved.