Korea Business News Agency - NSP NEWS AGENCY.

（写真＝SKハイニックス）

(Seoul=NSP NEWS) = SKハイニックス（000660）は、世界最高層である321層1Tb（テラビット）TLC（トリプルレベルセル）4D NANDフラッシュを適用したモバイル向けソリューション「UFS 4.1」を開発したと発表した。

オンデバイスAIの需要が高まる中、端末の演算性能とバッテリー効率のバランスが重要になっており、薄型・低消費電力は業界の標準となりつつある。これに対応し、同社は今回の製品で電力効率を従来の238層製品に比べて7％向上させた。

また、製品の厚さも従来の1mmから0.85mmへと薄型化し、超薄型フラッグシップスマートフォンへの搭載が可能となった。

さらに、データ転送速度は最大4300MB/sのシーケンシャルリード性能を実現。マルチタスク処理に影響を与えるランダムリードおよびライト性能も、それぞれ前世代比15％、40％向上し、現行のUFS 4.1製品の中で最高水準の性能を記録した。

これにより、オンデバイスAIの実装に必要なデータを遅延なく供給でき、アプリ起動やレスポンス速度の向上を通じてユーザー体感性能の強化に貢献するとしている。

新製品は512GBと1TBの2モデルで構成されており、年内に顧客向け提供と認証を進め、2026年第1四半期から本格的な量産に入る計画だ。

SKハイニックスのアン・ヒョン開発総括社長（CDO＝最高開発責任者）は「今回の製品を皮切りに、321層4D NANDを活用したコンシューマー用およびデータセンター向けSSDも年内に開発を完了する」と述べ、「NAND分野でもAI競争力を備えた製品ポートフォリオを構築し、フルスタックAIメモリープロバイダーとしての地位を確立していく」と語った。

By Seulgi Kim(kimslgijoo@nspna.com) and Bok-hyun Lee(bhlee2016@nspna.com)

ⓒNSP News Agency·NSP TV. All rights reserved. Prohibits using to train AI models.