サムスン電子、業界最先端の12ナノ級DRAM量産
(Seoul=NSP通信) minjung kim Journalist = サムスン電子が次世代インターフェースコンピューターエクスプレスリンク（ComputeExpressLink、以下CXL）基盤のDRAMメモリー技術を開発した。
人工知能、マシンラーニング、ビッグデータなどデータセンターの性能を画期的に改善できる大容量・高帯域DRAM技術の開発を通じて次世代半導体技術リーダーシップを確保した。
今回開発したCXLベースのDRAMメモリーをインテルのプラットフォームで検証を終え、次世代データセンターが要求する大容量DRAMソリューションの基盤技術を確保した。
サムスン電子は大容量SSDに適用されるEDSFF（Enterprise & Data Center SSD Form Factor）フォームファクターをCXL DRAMに適用した。CXL DRAMは既存システムのメインDRAMと共存が可能で、システムのメモリ容量をテラバイト級まで拡張することができる。
CXL DRAMのコントローラは、コンピューティングシステムがインタフェースの異なるメインメモリDDR DRAMとCXL DRAMを一緒に使用できるように、メモリマッピング（MemoryMapping）やインタフェースコンバーティング（InterfaceConverting）技術、システムのエラーを最小化し、データの信頼性を向上させるエラー管理（ErrorManagement）などを支援する。
大容量メモリーが求められる次世代コンピューティング市場にあわせ、CXL基盤メモリーを適期に商用化する計画だ。
NSP通信 minjung kim Journalist alswjd5176@nspna.com
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