サムスン電子、業界最先端の12ナノ級DRAM量産
(Seoul=NSP通信) YEONJIN JANG Journalist = Barun 電子はUHS-I技術を適用したマイクロSDXC256GB製品を披露した。
今回に開発されたマイクロSDXC256GBは128Gbitトリプル・レベル・セルNAND型を16個積層した超高容量製品である。
この製品は、フルHDビデオおよび高品質の写真撮影に適した製品でフルHD動画31時間、写真4500枚、歌4500曲を同時に保存することができる。メモリカードの最大読み取り速度は97MB/ s、最大書き込み速度が58MB/ sの高速性能を持っている。
この製品は、チップオンボード（COB）タイプのメモリカードで防水性と耐衝撃に強く安全に使用することができる。
NSP通信/NSP TV YEONJIN JANG Journalist, yeonjin112@nspna.com
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