韓国の経済ニュース通信会社 - NSP NEWS.

1c Dラム・ナノベースのダイ適用…電力効率40％改善、2026年HBM4Eサンプル出荷予告

(Seoul=NSP NEWS) = 三星電子(005930)が世界初で業界最高性能のHBM4を量産出荷しHBM4市場の先取りに乗り出した。

三星電子はHBM4の開発開始からJEDEC基準を上回る性能目標を設定し、1c Dラムとナノベースのダイを適用し初期から歩留まりと性能を両立させた。

三星電子はJEDEC標準8Gbpsを約46％上回る11.7Gbpsの動作速度を安定的に確保し、最大13Gbpsまで実現できると述べた。

三星電子は単一スタック基準メモリー帯域幅が全モデルのHBM3E対比約2.7倍増えた最大3.3ＴB/s レベルで顧客のニーズである3.0TB/sを上回る。

三星電子は12段積層で24GB~36GBを提供し、顧客の日程に合わせて16段積層を適用する時最大48GBまで広げる計画である。

三星電子はI/Oピン数の拡大による電力・発熱イシューの対応のためにコアダイの低電力設計やPDN最適化を適用し、エネルギー効率を従来より約40％改善したと述べた。なお、熱抵抗特性の約10％改善、防熱特性の約30％向上も一緒に提示し、データセンターの電力消費や冷却費用の節減効果を強調した。

三星電子は2026年HBM売り上げが2025年対比3倍以上増加すると見込み、生産能力を先制的に拡大している。

三星電子は2026年下半期にHBM4Eサンプル出荷、2027年カスタマイズ型Custom HBMサンプリングを推進し、次世代ラインナップを稼働する計画である。

By Yun jung Choi(miyabi1006@nspna.com) and Bok-hyun Lee(bhlee2016@nspna.com)

ⓒNSP News Agency·NSP TV. All rights reserved.