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(사진 = SKハイニックス)

(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = SKハイニックスが世界で初めてDラム単品チップ12つを垂直積層し、現存最高容量の24GB(ギガバイト)を具現したHBM3新製品を開発した。

従来のHBM3の最大容量はDラム単品チップ8つを垂直積層した16GBだった。

SKハイニックスは「今回既存対比容量を50%高めた24GBパッケージ製品を開発することに成功した」とし「最近、AIチャットボット(Chatbot、人工知能対話型ロボット)産業が拡大し、増えているプレミアムメモリー需要に合わせて下半期から市場に新製品を供給できるだろう」と強調した。

SKハイニックスの技術陣は、今回の製品にアドバンスド(Advanced)MR-MUFとTSV技術を適用した。

アドバンスドMR-MUF技術を通じて、工程効率性と製品性能安定性を強化した。また、TSV技術を活用し、従来比40%薄いDラム単品チップ12つを垂直に積み上げ、16GB製品と同じ高さで製品を具現した。

SKハイニックスが2013年に開発したHBMは、高性能コンピューティングを要求する生成型AIに必須のメモリー半導体製品として業界の注目を集めている。

現在、多数のグローバル顧客企業にHBM324GBサンプルを提供し、性能検証を進めており、顧客も製品に期待感を示しているという。

By Min-jung Kim(alswjd5176@nspna.com) and Bok-hyun Lee(bhlee2016@nspna.com)

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