サムスン電子、業界最先端の12ナノ級DRAM量産
(Seoul=NSP通信) minjung kim Journalist = SKハイニックスは、超高速DRAM「HBM2E」の本格的な量産に乗り出した。
「ＨＢＭ２Ｅ」は１秒当たり３．６ギガビット（Ｇｂｐｓ）のデータ処理が可能な製品で、１０２４の 入出力 （Ｉ／Ｏ）を通じて１秒で４６０ギガバイト（ＧＢ）のデータを処理できる。
ＦＨＤ（Ｆｕｌｌ−ＨＤ）級の映画（３．７ＧＢ）１２４本を１秒で送信できる、現存最も早いＤRAMソリューションだ。 容量も８つの１６ギガビット（Ｇｂ）ＤRAMチップをＴＳＶ（ThroughSiliconVia）技術で垂直連結し、前世代対比２倍以上増えた１６ＧＢを実現した。
超高速・高容量・省電力特性が特徴である「HBM2E」は、高度な演算力を必要とするディープラーニング加速器(Deep Learning Accelerator)、高性能コンピューティングなど、次世代人工知能(AI)システムに最適化されたメモリーソリューションとして注目されている。
このほか、気象変化、生物医学、宇宙探査など次世代の基礎科学と応用科学研究を主導するエクサスケール（Ｅｘａｓｃａｌｅ）スーパーコンピューター（１秒当たり１００京の演算が可能な高性能コンピューティングシステム）に活用されることが期待されている。
NSP通信 minjung kim Journalist alswjd5176@nspna.com
著作権者ⓒ韓国の経済ニュース通信社 NSPNEWS·NSPTV。 無断転載 - 再配布禁止。