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(Image = SK海力士)

(Seoul=NSP NEWS) = SK海力士（000660）宣布，已开发出应用全球最高层数——321层的1Tb（三层单元，TLC）4D NAND闪存的移动解决方案产品——UFS 4.1。

随着端侧AI需求的增长，设备在运算性能与电池效率之间的平衡变得愈发重要，移动设备的轻薄设计和低功耗特性正逐渐成为行业标准。

顺应这一趋势，公司此次推出的产品在电源效率方面相比上一代238层NAND闪存产品提升了7%。

该产品厚度也从1mm减少至0.85mm，成功实现超薄化，可应用于超薄智能手机中。

此外，本次发布的产品支持UFS 4.0代产品的最大顺序读取性能——4300MB/s的数据传输速度。

在决定移动设备多任务处理能力的随机读取与写入速度方面，较前一代产品分别提升了15%和40%，达到了现有UFS 4.1产品中的全球最高性能水平。

因此，有望为端侧AI提供所需数据的无延迟传输，同时提升应用启动速度与响应能力，增强用户的使用体验。

此次产品已开发出512GB和1TB两种容量版本，公司计划在年内向客户提供样品并进行认证，预计将于明年第一季度开始量产。

SK海力士开发总括社长安贤（CDO，首席开发官）表示：“以此次产品发布为起点，我们计划在年内完成基于321层4D NAND的消费级与数据中心用SSD产品开发。”他还补充道，“借此，我们将在NAND领域构建具备AI技术竞争力的产品组合，进一步巩固我们作为全栈AI存储解决方案供应商的地位。”

By Bo kyung Kim(bkkim619@nspna.com) and Bok-hyun Lee(bhlee2016@nspna.com)

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