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(Seoul=NSP NEWS) = 三星电子（005930）率先实现业界最高性能HBM4的量产出货，正式抢占HBM4市场先机。
三星电子自HBM4开发初期即设定超越JEDEC标准的性能目标，并通过采用1c DRAM与4纳米基底芯片，从一开始便确保了良率与性能。
三星电子表示，已稳定实现较JEDEC标准8Gbps高出约46%的11.7Gbps运行速度，且最高可实现13Gbps。

三星电子表示，以单堆栈为基准，其内存带宽较上一代HBM3E提升约2.7倍，最高达3.3TB/s，超过客户要求的3.0TB/s。
三星电子通过12层堆叠提供24GB至36GB容量，并计划根据客户进度在采用16层堆叠时将容量最高扩展至48GB。
三星电子表示，为应对I/O引脚数量增加带来的功耗与发热问题，公司采用核心芯片低功耗设计与PDN优化，使能效较上一代提升约40%。同时，热阻特性改善约10%，散热性能提升约30%，并强调可有效降低数据中心的电力消耗与冷却成本。
三星电子预计，2026年HBM销售额将较2025年增长三倍以上，并正提前扩大生产能力。
三星电子计划于2026年下半年出货HBM4E样品，并于2027年推进面向客户定制的Custom HBM样品供应，以启动下一代产品线。

By Bo kyung Kim(bkkim619@nspna.com) and Bok-hyun Lee(bhlee2016@nspna.com)

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