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(SK하이닉스)

(서울=NSP통신) 이복현 기자 = SK하이닉스가 신개념을 도입한 최고속 서버용 D램 제품인 ‘DDR5 MCR DIMM’의 샘플 개발에 성공했다고 밝혔다.

이번 제품은 동작 속도가 초당 8Gb(기가비트) 이상으로, 초당 4.8Gb인 서버용 DDR5보다 속도가 80% 넘게 빨라졌다.

DDR(Double Data Rate)은 서버와 PC에 주로 들어가는 D램 규격으로, 현재 5세대인 DDR5까지 개발됐다.

MCR DIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module)은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품이다.

이번 MCR DIMM 개발에는 DDR5의 동작 속도를 높이기 위해 새로운 개념이 도입됐다.

그동안 DDR5의 속도는 D램 단품의 동작 속도에 좌우된다는 것이 일반적인 인식이었다. 하지만 이번 제품에서는 D램 단품이 아닌, 모듈을 통해 속도를 높이는 방향으로 개발이 진행됐다.

SK하이닉스 기술진은 MCR DIMM에 탑재한 데이터 버퍼(Buffer)를 사용해 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계했다.

이에 따라 보통의 D램 모듈에서는 1개의 랭크에서 한번에 64바이트(Byte)의 데이터가 CPU(Central Processing Unit, 중앙정보처리장치)에 전송되지만, MCR DIMM에서는 2개의 랭크가 동시 동작해 128바이트가 CPU에 전송된다. 이처럼 모듈에서 CPU로 가는 회당 데이터 전송량을 늘림으로써 SK하이닉스는 D램 단품보다 2배 가까이 빠른, 8Gbps 이상의 속도를 구현해냈다.

SK하이닉스는 이번 제품 개발을 성공하는 데 미국 인텔(Intel), 일본 르네사스(Renesas)와의 글로벌 협업이 주효했다고 강조했다. 3사는 제품이 나오고 세계 최고 속도와 성능이 검증되기까지 긴밀하게 협업해 왔다.

SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 “당사의 모듈 설계 역량에 인텔의 서버 CPU와 르네사스의 버퍼 기술력이 융합되면서 이번 제품 개발이 가능했다”며 “실제로 MCR DIMM이 안정적으로 성능을 내려면, 모듈 내외에서 함께 동작하는 데이터 버퍼와 서버 CPU간의 상호작용이 매우 중요하다”고 말했다.

이어 류 부사장은 “세계 최고 속도의 MCR DIMM 개발을 통해 당사는 또 한번 DDR5의 기술력 진화를 이뤄냈다”며 “앞으로도 당사는 기술한계 돌파를 위해 지속적으로 노력해 서버용 D램 시장에서 1등 경쟁력을 공고히 하겠다”라고 덧붙였다.

인텔의 디미트리오스 지아카스(Dimitrios Ziakas) 메모리 IO(Input/Output) 기술부문 부사장은 “인텔은 SK하이닉스와 함께 당사의 차세대 서버 CPU에 최적화돼 적용될 초고속 제품 개발을 주도해왔다”며 “앞으로도 양사는 MCR DIMM의 표준화와 후속 제품 개발을 위해 긴밀히 협업하겠다”라고 말했다.

르네사스의 사미르 쿠파할리(Sameer Kuppahalli) 메모리 인터페이스 부문 부사장은 “이번에 르네사스가 개발한 데이터 버퍼는 제품의 구상부터 완성까지 3년 동안 여러 기술이 집약된 노력의 결실”이라며, “SK하이닉스, 인텔과 협업해 혁신적인 제품을 개발하게 돼 자랑스럽다”라고 밝혔다.

SK하이닉스는 향후 고성능 컴퓨팅 시장에서 MCR DIMM의 수요가 크게 늘어날 것으로 보고 있다. 회사는 고객 수요가 본격화되는 시점에 맞춰 이 제품을 양산할 계획이다.

NSP통신 이복현 기자 bhlee2016@nspna.com
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